此时，常乐手机震动了一下，里面出现一个对话：
“老板，用手机也可以聊。”
“没时间，晚点再说。”
常乐来到客厅，坐在常学勤身边。
重新打开电脑，进入个人邮箱，打开长宁存储的喜报。
喜报中显示：
在母公司的大力支持下，长宁存储不负众望……
基于晶栈Xtacking3.0架构，跳过192层，成功研发出232层3D闪存芯片，将领先优势进一步扩大，性能上没有公司出其左右。
其中，TLC芯片存储密度达15.47GB/平方毫米，QLC芯片存储密度达19.8GB/平方毫米。
传输速率达到2400MT/s，可搭配第四代、第五代插槽，打造旗舰级SSD。
“哈哈，干的真不错。”常学勤大笑。
“是啊，我看新闻。国外几家大厂，才刚刚完成128层3D闪存芯片的研发，进入量产调试阶段，长宁存储这一步跨的很大，形成了代差。”江志诚说。
“对，爸，时间上至少相差四年。”常乐说：
“只要长宁存储不停步，在3D闪存技术路线上，这个代差无法抹平。”
“而且，他们已经围绕碳纳米管展开研发，一旦研发成功，基于碳纳米管的物理和化学特性，存储密度、传输速率将进一步跃进，差距将不再是代差，而是维度差。”
“好，一旦国内碳基半导体产业全面铺开，又可以像固态电池一样，形成全球性垄断。”常学勤说。
“到那个时候，很多因为有顾忌而不敢大肆开展的工作就可以开展了。”江志诚说。
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